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东亚获得华虹NEC全线代理权

2014-11-13

       [香港讯,2014年11月4日] 全球领先的200mm纯晶圆代工厂 ── 华虹半导体有限公司(「华虹」或「公司」,连同其附属公司,统称「集团」,股份代号:1347) 拥有业界一流的的沟槽型600V-700V Super Junction (超级结结构) MOSFET (SJNFET) 工艺平台,可为日益增长的移动终端、4G网络、云计算和LED照明等热点应用,提供更低功耗,更高效率,更小尺寸的绿色芯制造平台。
       随着移动互联网、绿色能源技术的发展,以及全球节能减排的趋势,产品应用对电源系统提出更高的效率要求。作为开关电源,充电器/适配器,不间断电源和LED驱动等电源系统整流的核心器件,功率半导体是降低功耗、提高效率的关键。革命性的超级结结构器件应运而生,打破了传统MOSFET器件的「硅极限」(导通电阻正比于击穿电压的2.4~2.6次方),在同样的封装条件下能够实现更低的导通阻抗和更快的开关频率。目前,这一技术主要由少数几个国际产品大厂所掌握,华虹作为专业的200mm纯晶圆代工厂,创新性地推出了先进的SJNFET工艺平台,可以为广大客户提供业界一流的SJNFET产品制造服务。
       凭借10多年的功率器件技术优势,华虹于2010年突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题,推出了独特的具有自主知识产权的沟槽型SJNFET工艺平台,可以支持500V~900V不同电压等级的产品生产。与传统的多层外延型SJNFET工艺相比,沟槽型结构具有光刻层次少、结构简单、高温特性好、制造周期短和性能提升潜力大等优点。同时,华虹在北美有超过10个,中国内地超过100个的SJNFET相关专利授权,可以为客户提供平台化代工服务,极大地缩短客户产品time-to-market的时间。
       多家客户基于华虹平台设计的SJNFET产品展现出优异性能,并于2011年实现量产。在此基础上,华虹于2012年底又成功推出第二代SJNFET工艺平台,与第一代产品相比导通电阻降低了30% (单位面积导通电阻1.8 ohm.mm2),达到业界一流水平,并且拥有更快的开关速度、更低的开关损耗、更小的芯片面积、更强的雪崩耐量和抗电磁干扰能力。到目前为止,华虹SJNFET工艺平台已有全球合作伙伴超过20家,工艺良率稳定在98%以上,为业界一线终端厂商提供可靠的高压功率芯片。截至2014年八月,公司SJNFET平台出货量已超过4万片。
华虹将继续发挥自身工艺和研发优势,拟推出世界领先的第三代SJNFET工艺平台,进一步巩固公司于功率分立器件领域的领先地位,协助客户推出更具竞争力的产品,持续为世界制造绿色芯。


关于华虹半导体有限公司
       华虹是全球具领先地位的200mm纯晶圆代工厂,主要专注于研发及制造专业应用的200mm晶圆半导体,尤其是嵌入式非易失性存储器及功率器件。集团的技术组合还包括RFCMOS、模拟及混合信号、CMOS图像传感器、电源管理及MEMS等若干其他先进工艺技术。根据IBS的资料,按2013年销售收入总额计算,集团是全球第二大200mm纯晶圆代工厂,亦是世界第六大纯晶圆代工厂。集团生产的半导体被应用于不同市场(包括电子消费品、通讯、计算机及工业及汽车)的各种产品中。利用自身的专有工艺及技术,集团为多元化的客户制造其设计规格的半导体。通过位于上海的三座晶圆厂,集团目前的200mm晶圆加工能力在中国名列前茅,截至2014年6月30日的200mm晶圆制造产能合计约为每月124,000片。同时,考虑到工艺的性能、成本及制造良率,集团亦提供设计支持服务,以便对复杂的设计进行优化。
       华虹半导体有限公司现时主要业务透过位于上海的子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(「华虹宏力」)开展。而华虹宏力由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成。

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